當(dāng)前位置：碳化硅的電導(dǎo)率【碳化硅用途】
發(fā)布時(shí)間：2020-12-09 20:51:00
碳化硅（英語：silicon carbide，carborundum），化學(xué)式SiC，俗稱金剛砂，寶石名稱鉆髓，為硅與碳相鍵結(jié)而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然以莫桑石這種稀罕的礦物的形式存在。自1893年起碳化硅粉末被大量用作磨料。將碳化硅粉末燒結(jié)可得到堅(jiān)硬的陶瓷狀碳化硅顆粒，并可將之用于諸如汽車剎車片、離合器和防彈背心等需要高耐用度的材料中，在諸如發(fā)光二極管、早期的無線電探測(cè)器之類的電子器件制造中也有使用。如今碳化硅被廣泛用于制造高溫、高壓半導(dǎo)體。通過Lely法能生長(zhǎng)出大塊的碳化硅單晶。人造莫桑石的寶石就是通過切割由Lely法制備的大塊碳化硅單晶來獲得的。
在碳化硅中摻雜氮或磷可以形成n型半導(dǎo)體而摻雜鋁、硼、鎵或鈹形成p型半導(dǎo)體。在碳化硅中大量摻雜硼、鋁或氮可以使摻雜后的碳化硅具備數(shù)量級(jí)可與金屬比擬的導(dǎo)電率。摻雜Al的3C-SiC、摻雜B的3C-SiC和6H-SiC的碳化硅都能在1.5K的溫度下?lián)碛谐瑢?dǎo)性，但摻雜Al和B的碳化硅兩者的磁場(chǎng)行為有明顯區(qū)別。摻雜鋁的碳化硅和摻雜B的晶體硅一樣都是第二類超導(dǎo)體，但摻雜硼的碳化硅則是第一類超導(dǎo)體。